NVTP2955G

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ON अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

N

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-220-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

P- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

60 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

12 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

156 mOhms

Qg - गेट चार्ज:

14 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

62.5 W

कन्फिगरेसन:

एकल

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 P-Channel

ब्रान्ड:

ON अर्धचालक

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

6 S

पतन समय:

85 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

80 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

50

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

47 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

20 ns

एकाइ वजन:

0.211644 oz

Tags

NVT