SIDR608DP-T1-RE3

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

विसय

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

PowerPAK-SO-8

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

45 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

208 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

1.8 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

- 16 V, 20 V

Qg - गेट चार्ज:

111 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

104 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

TrenchFET

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

Vishay / Siliconix

पतन समय:

8 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

10 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

50 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

19 ns

Tags

SIDR6, SIDR, SID