HS8K1TB

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ROHM अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

HSML3030L-10

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

11 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

11.8 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

6 nC, 7.4 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

2 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

2 N-Channel

ब्रान्ड:

ROHM अर्धचालक

पतन समय:

2.9 ns, 3.2 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

4.5 ns, 5.2 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

19.2 ns, 19.7 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

8.2 ns, 8.4 ns

भाग # उपनाम:

HS8K1

Tags

HS8K1, HS8K, HS8