SIRA18BDP-T1-GE3

Mfr. #:: SIRA18BDP-T1-GE3
निर्माता:: Vishay / Siliconix
विवरण:: MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: SIRA18BDP-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: विसय

उत्पादन कोटि:: MOSFET

RoHS:: E

प्रविधि:: सि

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: PowerPAK SO-8

च्यानलहरूको संख्या:: 1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 40 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:: 5.5 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:: - 4.4 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:: - 16 V, + 20 V

Qg - गेट चार्ज:: 12.2 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 150 C

च्यानल मोड:: कमी

व्यापार नाम:: TrenchFET

प्याकेजिङ:: रील

ब्रान्ड:: Vishay / Siliconix

पतन समय:: 5 ns

उत्पादन प्रकार:: MOSFET

उठ्ने समय:: 5 ns

कारखाना प्याक मात्रा:: 3000

उपश्रेणी:: MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:: 15 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:: 8 ns

Tags: SIRA18, SIRA1, SIRA, SIR

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भाग #

विवरण

Mfr.#: SIRA18BDP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SIRA18BDP-T1-GE3

MOSFET N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

उपलब्धता

स्टक:: Available
अर्डर मा:: 4500
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