SIHH186N60EF-T1GE3

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

विसय

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

PowerPAK 8 x 8

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

600 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

16 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

168 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

5 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

21 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

TrenchFET

प्याकेजिङ:

रील

शृङ्खला:

EF

ब्रान्ड:

Vishay / Siliconix

पतन समय:

16 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

23 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

25 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

14 ns

Tags

SIHH1, SIHH, SIH