DMG3N60SCT

DMG3N60SCT
Mfr. #:
DMG3N60SCT
निर्माता:
Diodes Incorporated
विवरण:
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
DMG3N60SCT डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
डायोड सम्मिलित
उत्पादन कोटि:
MOSFET
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-220AB-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
600 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
3.3 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
2.7 Ohms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
Qg - गेट चार्ज:
12.6 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
104 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
ट्यूब
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
डायोड सम्मिलित
पतन समय:
28 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
22 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
50
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
34 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
10.6 ns
एकाइ वजन:
0.063493 oz
Tags
DMG3, DMG
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
MOSFET BVDSS: 501V~650V TO220AB TUBE 50PCS
***ronik
N-CH 600V 3,3A 3500mOhm TO220AB
छवि भाग # विवरण
MBR40250G

Mfr.#: MBR40250G

OMO.#: OMO-MBR40250G

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Mfr.#: FQP4N80

OMO.#: OMO-FQP4N80-ON-SEMICONDUCTOR

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO-220
उपलब्धता
स्टक:
230
अर्डर मा:
2213
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ ०.८९
US$ ०.८९
10
US$ ०.७५
US$ ७.५३
100
US$ ०.५८
US$ ५७.८०
500
US$ ०.५१
US$ २५५.५०
1000
US$ ०.४०
US$ ४०४.००
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