SIHF9640S-GE3

SIHF9640S-GE3
Mfr. #:
SIHF9640S-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SIHF9640S-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-263-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
P- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
200 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
11 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
500 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
- 4 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
44 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
125 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
उचाइ:
4.83 mm
लम्बाइ:
10.67 mm
शृङ्खला:
SIHF
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 P-Channel
चौडाइ:
9.65 mm
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
4.1 S
पतन समय:
38 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
43 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
1
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
39 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
14 ns
Tags
SIHF96, SIHF9, SIHF, SIH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
HALOGEN FREE IRF9640SPBF P CHANNEL ;VBRDSS -200 V; RDSON 500 MOHM ; ID -11 A ; QG 44 NC
***ark
Mosfet P-Channel 200V
छवि भाग # विवरण
SIHF9630STRL-GE3

Mfr.#: SIHF9630STRL-GE3

OMO.#: OMO-SIHF9630STRL-GE3

MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF9630S-GE3

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MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF9640S-GE3

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MOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF9630

Mfr.#: SIHF9630

OMO.#: OMO-SIHF9630-1190

नयाँ र मौलिक
SIHF9640STRL-GE3

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उपलब्धता
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3000
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5000
US$ ०.८२
US$ ४ १००.००
10000
US$ ०.७९
US$ ७ ८८०.००
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