IPG20N04S4L-08

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

TDSON-8

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

40 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

20 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

7.2 mOhms, 7.2 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

16 V

Qg - गेट चार्ज:

39 nC, 39 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

54 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

योग्यता:

AEC-Q101

व्यापार नाम:

OptiMOS

प्याकेजिङ:

रील

उचाइ:

1.27 mm

लम्बाइ:

5.9 mm

शृङ्खला:

OptiMOS-T2

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

2 N-Channel

चौडाइ:

5.15 mm

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

पतन समय:

20 ns, 20 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

3 ns, 3 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

5000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

40 ns, 40 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

7 ns, 7 ns

भाग # उपनाम:

IPG20N04S4L08ATMA1 IPG2N4S4L8XT SP000705576

Tags

IPG20N04S4L-0, IPG20N04S4L, IPG20N04, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG