BSS308PEH6327XT

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

SOT-23-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

P- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

30 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

2 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

62 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

- 5 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

500 mW (1/2 W)

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

योग्यता:

AEC-Q101

प्याकेजिङ:

रील

उचाइ:

1.1 mm

लम्बाइ:

2.9 mm

शृङ्खला:

BSS308

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 P-Channel

चौडाइ:

1.3 mm

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

4.6 S

पतन समय:

2.8 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

7.7 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

15.3 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

5.6 ns

भाग # उपनाम:

BSS308PEH6327XTSA1 SP000928942

एकाइ वजन:

0.000282 oz

Tags

BSS308PEH6327X, BSS308PEH, BSS308, BSS30, BSS3, BSS