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SIHF520STRR-GE3

SIHF520STRR-GE3
Mfr. #:
SIHF520STRR-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SIHF520STRR-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-263-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
100 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
9.2 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
270 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
16 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
60 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
2.7 S
पतन समय:
20 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
30 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
800
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
19 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
8.8 ns
Tags
SIHF52, SIHF5, SIHF, SIH
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छवि भाग # विवरण
SIHF520STRR-GE3

Mfr.#: SIHF520STRR-GE3

OMO.#: OMO-SIHF520STRR-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF520STRL-GE3

Mfr.#: SIHF520STRL-GE3

OMO.#: OMO-SIHF520STRL-GE3

 MOSFET 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
SIHF520

Mfr.#: SIHF520

OMO.#: OMO-SIHF520-1190

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उपलब्धता
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विस्तार मूल्य
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10
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