BSC112N06LDATMA1

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

TDSON-8

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

60 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

20 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

11.2 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.2 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

16 V

Qg - गेट चार्ज:

55 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

65 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

शृङ्खला:

BSC112N06

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

2 N-Channel

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

पतन समय:

7 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

3 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

5000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

51 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

11 ns

भाग # उपनाम:

BSC112N06LD SP002594372

Tags

BSC11, BSC1, BSC