IPA80R650CEXKSA1

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-220FP-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

800 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

8 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

560 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

2.1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

45 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 40 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

33 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

CoolMOS

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

16.15 mm

लम्बाइ:

10.65 mm

शृङ्खला:

CoolMOS CE

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

चौडाइ:

4.85 mm

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

पतन समय:

10 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

15 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

500

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

72 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

25 ns

भाग # उपनाम:

IPA80R650CE SP001286432

एकाइ वजन:

0.211644 oz

Tags

IPA80R650CEX, IPA80R65, IPA80R6, IPA8, IPA