APT21M100J

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

माइक्रोचिप

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

चेसिस माउन्ट

प्याकेज / केस:

SOT-227-4

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

1 kV

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

21 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

380 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

3 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

260 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

462 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

8.9 mm

लम्बाइ:

38 mm

उत्पादन:

MOSFET

प्रकार:

पावर MOSFET

चौडाइ:

25.2 mm

ब्रान्ड:

माइक्रोचिप / माइक्रोसेमी

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

34 S

पतन समय:

33 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

35 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

1

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

130 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

39 ns

एकाइ वजन:

1.058219 oz

Tags

APT2, APT