TK17N65W,S1F

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

तोशिबा

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-247-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

650 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

17.3 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

170 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

2.5 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

45 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

165 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

20.95 mm

लम्बाइ:

15.94 mm

शृङ्खला:

TK17N65W

चौडाइ:

5.02 mm

ब्रान्ड:

तोशिबा

पतन समय:

6 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

15 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

30

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

100 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

50 ns

एकाइ वजन:

1.340411 oz

Tags

TK17N, TK17, TK1