RM6N800T2

RM6N800T2
Mfr. #:
RM6N800T2
निर्माता:
Rectron
विवरण:
MOSFET TO-220 MOSFET
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
RM6N800T2 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
रेक्ट्रोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-220-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
800 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
6 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
900 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
3 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
Qg - गेट चार्ज:
22.8 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
98 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
ट्यूब
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
ब्रान्ड:
रेक्ट्रोन
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
6 S
पतन समय:
6 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
5 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
1000
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
53 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
10 ns
Tags
RM6N, RM6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
छवि भाग # विवरण
RM6N800IP

Mfr.#: RM6N800IP

OMO.#: OMO-RM6N800IP

MOSFET TO-251 MOSFET
RM6N800TI

Mfr.#: RM6N800TI

OMO.#: OMO-RM6N800TI

MOSFET TO-220F MOSFET
RM6N800T2

Mfr.#: RM6N800T2

OMO.#: OMO-RM6N800T2

MOSFET TO-220 MOSFET
RM6N800HD-T

Mfr.#: RM6N800HD-T

OMO.#: OMO-RM6N800HD-T

MOSFET D2-PAK MOSFET
RM6N800HD

Mfr.#: RM6N800HD

OMO.#: OMO-RM6N800HD-1190

नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
5000
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1000
US$ १.०३
US$ १ ०३०.००
2000
US$ ०.८८
US$ १ ७५२.००
4000
US$ ०.८०
US$ ३ २००.००
10000
US$ ०.७३
US$ ७ ३००.००
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