SSM6G18NU,LF

SSM6G18NU,LF
Mfr. #:
SSM6G18NU,LF
निर्माता:
Toshiba
विवरण:
MOSFET Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112O @ 4.5V, in UDFN6 package
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SSM6G18NU,LF डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
MOSFET
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
UDFN-6
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
P- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
20 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
2 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
112 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
0.3 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
8 V
Qg - गेट चार्ज:
4.6 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
1 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 P-Channel
ब्रान्ड:
तोशिबा
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
कारखाना प्याक मात्रा:
3000
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
43 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
17 ns
Tags
SSM6G, SSM6, SSM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
छवि भाग # विवरण
SSM6G18NU,LF

Mfr.#: SSM6G18NU,LF

OMO.#: OMO-SSM6G18NU-LF

MOSFET Small Signal MOSFET P-ch + SBD VDSS=-20V, VR=30V, I(SBD)=1A, VGSS=+/-8V, ID=-2A, RDS(ON)=0.112O @ 4.5V, in UDFN6 package
SSM6G13NU

Mfr.#: SSM6G13NU

OMO.#: OMO-SSM6G13NU-1190

नयाँ र मौलिक
SSM6G18NU

Mfr.#: SSM6G18NU

OMO.#: OMO-SSM6G18NU-1190

नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
2000
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
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10
US$ ०.४४
US$ ४.४१
100
US$ ०.१७
US$ १७.१०
1000
US$ ०.१४
US$ १४०.००
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