IRF1503STRLPBF

IRF1503STRLPBF
Mfr. #:
IRF1503STRLPBF
निर्माता:
Infineon Technologies
विवरण:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IRF1503STRLPBF डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRF1503STRLPBF DatasheetIRF1503STRLPBF Datasheet (P4-P6)IRF1503STRLPBF Datasheet (P7-P9)IRF1503STRLPBF Datasheet (P10-P11)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
30 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
75 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
3.3 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
4 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
130 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
200 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
प्याकेजिङ:
रील
उचाइ:
2.3 mm
लम्बाइ:
6.5 mm
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
6.22 mm
ब्रान्ड:
Infineon टेक्नोलोजीहरू
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
75 S
पतन समय:
48 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
130 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
800
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
59 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
17 ns
भाग # उपनाम:
SP001550938
एकाइ वजन:
0.139332 oz
Tags
IRF1503ST, IRF1503S, IRF1503, IRF150, IRF15, IRF1, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IRF1503STRLPBF
DISTI # IRF1503STRLPBF-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3200
Container: Tape & Reel (TR)
Temporarily Out of Stock
  • 3200:$1.5909
IRF1503STRLPBF
DISTI # IRF1503STRLPBF
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - Tape and Reel (Alt: IRF1503STRLPBF)
RoHS: Compliant
Min Qty: 3200
Container: Reel
Americas - 0
  • 3200:$1.1900
  • 4800:$1.1900
  • 8000:$1.0900
  • 16000:$1.0900
  • 32000:$1.0900
IRF1503STRLPBF
DISTI # SP001550938
Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 30V 190A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R (Alt: SP001550938)
RoHS: Compliant
Min Qty: 800
Container: Tape and Reel
Europe - 0
  • 800:€1.6399
  • 1600:€1.3659
  • 3200:€1.2609
  • 4800:€1.1709
  • 8000:€1.0929
IRF1503STRLPBF
DISTI # 70018802
Infineon Technologies AGMOSFET,30V,190A,3.3 MOHM,130 NC QG,D2-PAK
RoHS: Compliant
0
  • 3200:$3.6500
  • 6400:$3.5770
  • 16000:$3.4680
  • 32000:$3.3220
  • 80000:$3.1030
IRF1503STRLPBF
DISTI # 942-IRF1503STRLPBF
Infineon Technologies AGMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
RoHS: Compliant
0
  • 1:$2.8800
  • 10:$2.4500
  • 100:$2.1300
  • 250:$2.0200
  • 500:$1.8100
  • 800:$1.5300
छवि भाग # विवरण
IRF1503STRLPBF

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OMO.#: OMO-IRF1503STRLPBF

MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
IRF1503PBF

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MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
IRF1503STRRPBF

Mfr.#: IRF1503STRRPBF

OMO.#: OMO-IRF1503STRRPBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
IRF1503L

Mfr.#: IRF1503L

OMO.#: OMO-IRF1503L-1190

नयाँ र मौलिक
IRF1503L/

Mfr.#: IRF1503L/

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नयाँ र मौलिक
IRF1503LPBF

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MOSFET N-CH 30V 75A TO-262
IRF1503PBF,IRF1503

Mfr.#: IRF1503PBF,IRF1503

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IRF1503SPBF

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RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
IRF1503STRLPBF

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RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
IRF1503PBF

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RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
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मात्रा
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विस्तार मूल्य
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US$ २.८७
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US$ २.४४
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100
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US$ २१२.००
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500
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