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IPI023NE7N3 G

IPI023NE7N3 G
Mfr. #:
IPI023NE7N3 G
निर्माता:
Infineon Technologies
विवरण:
MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IPI023NE7N3 G डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
इन्फिनोन
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
प्याकेज / केस:
TO-262-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
75 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
120 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
2.3 mOhms
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
155 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
300 W
कन्फिगरेसन:
एकल
व्यापार नाम:
OptiMOS
प्याकेजिङ:
ट्यूब
उचाइ:
9.45 mm
लम्बाइ:
10.2 mm
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
4.5 mm
ब्रान्ड:
Infineon टेक्नोलोजीहरू
पतन समय:
22 nS
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
26 nS
कारखाना प्याक मात्रा:
500
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
70 nS
भाग # उपनाम:
IPI023NE7N3GAKSA1 SP000641732
एकाइ वजन:
0.084199 oz
Tags
IPI023, IPI02, IPI0, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin TO-262 Tube
*** Electronic Components
IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
***i-Key
MOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IPI023NE7N3 G
DISTI # IPI023NE7N3G-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 75V 120A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IPI023NE7N3 G
    DISTI # 726-IPI023NE7N3G    		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
    RoHS: Compliant    		0
      IPI023NE7N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      RoHS: Compliant      		6946
      • 1000:$2.3200
      • 500:$2.4500
      • 100:$2.5500
      • 25:$2.6600
      • 1:$2.8600
      IPI023NE7N3 GInfineon Technologies AG 
      RoHS: Not Compliant      		1500
      • 1000:$2.3200
      • 500:$2.4500
      • 100:$2.5500
      • 25:$2.6600
      • 1:$2.8600
      छवि भाग # विवरण
      IPI023NE7N3 G

      Mfr.#: IPI023NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-G

      		 MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      IPI023NE7N3

      Mfr.#: IPI023NE7N3

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-1190

      		 नयाँ र मौलिक
      IPI023NE7N3G

      Mfr.#: IPI023NE7N3G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3G-1190

      		 Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 75V, 0.0023ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
      IPI023NE7N3 G

      Mfr.#: IPI023NE7N3 G

      OMO.#: OMO-IPI023NE7N3-G-INFINEON-TECHNOLOGIES

      		 IGBT Transistors MOSFET N-Ch 75V 100A I2PAK-3 OptiMOS 3
      उपलब्धता
      स्टक:
      Available
      अर्डर मा:
      1500
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