TPN2R805PL,L1Q

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

तोशिबा

उत्पादन कोटि:

MOSFET

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

TSON-Advance-8

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

45 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

139 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

2.2 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1.4 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

39 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

-

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

104 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

शृङ्खला:

TPN2R805PL

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

तोशिबा

पतन समय:

12 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

7.4 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

5000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

34 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

17 ns

एकाइ वजन:

0.000705 oz

Tags

TPN2R8, TPN2R, TPN2, TPN