GS8160E18DGT-200V

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

GSI प्रविधि

उत्पादन कोटि:

SRAM

RoHS:

Y

मेमोरी साइज:

18 Mbit

संगठन:

1 M x 18

पहुँच समय:

6.5 ns

अधिकतम घडी आवृत्ति:

200 MHz

इन्टरफेस प्रकार:

समानान्तर

आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:

2.7 V

आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:

1.7 V

हालको आपूर्ति - अधिकतम:

190 mA, 195 mA

न्यूनतम परिचालन तापमान:

0 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 70 C

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

TQFP-100

प्याकेजिङ:

ट्रे

मेमोरी प्रकार:

SDR

शृङ्खला:

GS8160E18DGT

प्रकार:

DCD सिंक्रोनस बर्स्ट

ब्रान्ड:

GSI प्रविधि

नमी संवेदनशील:

हो

उत्पादन प्रकार:

SRAM

कारखाना प्याक मात्रा:

18

उपश्रेणी:

मेमोरी र डाटा भण्डारण

व्यापार नाम:

SyncBurst

Tags

GS8160E18DGT-20, GS8160E18DGT-2, GS8160E18D, GS8160E1, GS8160E, GS8160, GS816, GS81, GS8