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2SA1941-O(Q)

2SA1941-O(Q)
Mfr. #:
2SA1941-O(Q)
निर्माता:
Toshiba
विवरण:
Bipolar Transistors - BJT PNP VCEO -140V 70-W DC -10A 100W
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
2SA1941-O(Q) डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टर - BJT
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
प्वाल मार्फत
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
PNP
कन्फिगरेसन:
एकल
कलेक्टर- एमिटर भोल्टेज VCEO अधिकतम:
- 140 V
कलेक्टर - आधार भोल्टेज VCBO:
- 140 V
उत्सर्जक - आधार भोल्टेज VEBO:
- 5 V
कलेक्टर-एमिटर संतृप्ति भोल्टेज:
2 V
ब्यान्डविथ उत्पादन एफटी प्राप्त गर्नुहोस्:
30 MHz
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
DC वर्तमान लाभ hFE अधिकतम:
83
ब्रान्ड:
तोशिबा
निरन्तर कलेक्टर वर्तमान:
10 A
DC कलेक्टर/बेस गेन hfe न्यूनतम:
35
Pd - शक्ति अपव्यय:
100 W
उत्पादन प्रकार:
BJTs - द्विध्रुवी ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
4000
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
एकाइ वजन:
0.165788 oz
Tags
2SA1941-O(Q, 2SA1941-O, 2SA1941, 2SA194, 2SA19, 2SA1, 2SA
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
Trans GP BJT PNP 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
***hard Electronics
TRANSISTOR,BJT,PNP,140V V(BR)CEO,10A I(C),TO-247VAR
*** Americas
TOSHIBA.TO-3P(L).BULK.SPQ 1000.MOQ 1000 / MPQ 1000.TRANSISTOR
*** Electronic Components
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
***ark
TRANSISTOR,BJT,PNP,140V V(BR)CEO,10A I(C),TO-247VAR
***r Electronics
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
***ure Electronics
PNP 100 W 140 V 10 A Flange Mount Epitaxial Silicon Transistor - TO-3P
***el Electronic
In a Pack of 5, ON Semi FJA4210OTU PNP Transistor, 10 A, 140 V, 3-Pin TO-3P
***Yang
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P(N) Rail - Rail/Tube
***hard Electronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
***ical
Trans GP BJT PNP 140V 10A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
***r Electronics
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
***ark
Bjt (Bipolar Junction Transistor) Rohs Compliant: Yes
***hard Electronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
***r Electronics
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
***ical
Trans GP BJT PNP 140V 10A 3-Pin (3+Tab) TO-3PF Rail
छवि भाग # विवरण
AT24C512C-SHM-T

Mfr.#: AT24C512C-SHM-T

OMO.#: OMO-AT24C512C-SHM-T

 EEPROM 2-WIRE -8 EIAJ,PB/HALO FREE,NiPdAu,1.7V
2SA1943OTU

Mfr.#: 2SA1943OTU

OMO.#: OMO-2SA1943OTU

 Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 15A 150W
2SC5242OTU

Mfr.#: 2SC5242OTU

OMO.#: OMO-2SC5242OTU

 Bipolar Transistors - BJT NPN 230V 15A 130W
INN3166C-H102-TL

Mfr.#: INN3166C-H102-TL

OMO.#: OMO-INN3166C-H102-TL

 AC/DC Converters Off-line CV/CC 650V 35W 40W 27W 36W
V40100CI-M3/P

Mfr.#: V40100CI-M3/P

OMO.#: OMO-V40100CI-M3-P

 Schottky Diodes & Rectifiers 100V 40A TO-220AB TMBS
WT32I-A-AI6

Mfr.#: WT32I-A-AI6

OMO.#: OMO-WT32I-A-AI6

 Bluetooth Modules (802.15.1) Class1 BT 3.0, Audio Module, Int Ant
SML-H12U8TT86C

Mfr.#: SML-H12U8TT86C

OMO.#: OMO-SML-H12U8TT86C

 Standard LEDs - SMD Red 620nm 40mcd 2.2V; 20mA 0805
WT32I-A-AI6

Mfr.#: WT32I-A-AI6

OMO.#: OMO-WT32I-A-AI6-SILICON-LABS

 RF TXRX MOD BLUETOOTH CHIP ANT
INN3166C-H102-TL

Mfr.#: INN3166C-H102-TL

OMO.#: OMO-INN3166C-H102-TL-POWER-INTEGRATIONS

 IC OFFLINE SWITCH SR CONTROL
V40100CI-M3/P

Mfr.#: V40100CI-M3/P

OMO.#: OMO-V40100CI-M3-P-37

 Schottky Diodes & Rectifiers 100V 40A TO-220AB TMBS
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
1985
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ १.७१
US$ १.७१
10
US$ १.३८
US$ १३.८०
100
US$ १.०६
US$ १०६.००
500
US$ ०.९४
US$ ४७०.००
1000
US$ ०.७४
US$ ७४०.००
4000
US$ ०.६६
US$ २ ६४०.००
8000
US$ ०.६३
US$ ५ ०४०.००
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