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TC58NYG2S0HBAI6

TC58NYG2S0HBAI6
Mfr. #:
TC58NYG2S0HBAI6
निर्माता:
Toshiba Memory
विवरण:
NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
TC58NYG2S0HBAI6 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
TC58NYG2S0HBAI6 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
तोशिबा
उत्पादन कोटि:
NAND फ्ल्यास
RoHS:
Y
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
VFBGA-67
मेमोरी साइज:
4 Gbit
इन्टरफेस प्रकार:
समानान्तर
संगठन:
512 M x 8
डाटा बस चौडाइ:
8 bit
आपूर्ति भोल्टेज - न्यूनतम:
1.7 V
आपूर्ति भोल्टेज - अधिकतम:
1.95 V
हालको आपूर्ति - अधिकतम:
30 mA
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 85 C
प्याकेजिङ:
ट्रे
मेमोरी प्रकार:
NAND
ब्रान्ड:
तोशिबा मेमोरी
अधिकतम घडी आवृत्ति:
-
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
NAND फ्ल्यास
कारखाना प्याक मात्रा:
338
उपश्रेणी:
मेमोरी र डाटा भण्डारण
Tags
TC58NYG2S0H, TC58NYG2S0, TC58NYG2, TC58NYG, TC58NY, TC58N, TC58, TC5
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Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ical
NAND Flash Parallel 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA
***i-Key
IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
***et
4Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V
SLC NAND and BENAND
Toshiba SLC NAND and BENAND provide best-in-class endurance and data retention for sensitive or frequently used system data. Toshiba SLC are the optimal solution for long lasting products or systems working with extremely high data throughput between the host and the memory. 
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
TC58NYG2S0HBAI6
DISTI # V99:2348_18852635		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Serial 1.8V 4G-bit 512M x 8 67-Pin VFBGA26
  • 2500:$3.2660
  • 1000:$3.2780
  • 500:$3.4360
  • 250:$3.5660
  • 100:$3.5750
  • 50:$3.9590
  • 25:$3.9770
  • 10:$4.0590
  • 1:$4.4450
TC58NYG2S0HBAI6
DISTI # TC58NYG2S0HBAI6		Toshiba America Electronic Components4Gbit, generation: 24nm, VCC=1.7 to 1.95V - Trays (Alt: TC58NYG2S0HBAI6)
RoHS: Compliant
Min Qty: 338
Container: Tray		Americas - 0
  • 3380:$2.4900
  • 2028:$2.5900
  • 676:$2.6900
  • 1352:$2.6900
  • 338:$2.7900
TC58NYG2S0HBAI6_TRAY
DISTI # TC58NYG2S0HBAI6_TRAY		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash Memory (Alt: TC58NYG2S0HBAI6_TRAY)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
    TC58NYG2S0HBAI6
    DISTI # 757-TC58NYG2S0HBAI6    		Toshiba America Electronic ComponentsNAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
    RoHS: Compliant    		336
    • 1:$4.5900
    • 10:$4.1600
    • 25:$4.0700
    • 50:$4.0500
    • 100:$3.6300
    • 250:$3.6200
    • 500:$3.4800
    • 1000:$3.3100
    • 2500:$3.1600
    छवि भाग # विवरण
    74736-0222

    Mfr.#: 74736-0222

    OMO.#: OMO-74736-0222-409

    		 I/O Connectors XFP CAGE ASSY W/HEAT SINK
    उपलब्धता
    स्टक:
    336
    अर्डर मा:
    2319
    मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
    TC58NYG2S0HBAI6 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
    सन्दर्भ मूल्य (USD)
    मात्रा
    एकाइ मूल्य
    विस्तार मूल्य
    1
    US$ ४.९०
    US$ ४.९०
    10
    US$ ४.४७
    US$ ४४.७०
    50
    US$ ४.३५
    US$ २१७.५०
    100
    US$ ३.९१
    US$ ३९१.००
    250
    US$ ३.८९
    US$ ९७२.५०
    500
    US$ ३.६५
    US$ १ ८२५.००
    1000
    US$ ३.४९
    US$ ३ ४९०.००
    2500
    US$ ३.३८
    US$ ८ ४५०.००
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