SPI35N10

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-262-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

100 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

35 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

44 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

2.1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

49 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

150 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

ट्यूब

उचाइ:

9.45 mm

लम्बाइ:

10.2 mm

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

चौडाइ:

4.5 mm

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

12 S

पतन समय:

23 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

63 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

500

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

39 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

12.2 ns

एकाइ वजन:

0.084199 oz

Tags

SPI3, SPI