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SI7946ADP-T1-GE3

SI7946ADP-T1-GE3
Mfr. #:
SI7946ADP-T1-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SI7946ADP-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI7946ADP-T1-GE3 DatasheetSI7946ADP-T1-GE3 Datasheet (P4-P6)SI7946ADP-T1-GE3 Datasheet (P7-P9)SI7946ADP-T1-GE3 Datasheet (P10-P12)SI7946ADP-T1-GE3 Datasheet (P13)
ECAD Model:
थप जानकारी:
SI7946ADP-T1-GE3 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
PowerPAK-SO-8
च्यानलहरूको संख्या:
2 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
150 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
7.7 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
186 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2.5 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
8 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
19.8 W
कन्फिगरेसन:
दोहोरो
च्यानल मोड:
वृद्धि
व्यापार नाम:
TrenchFET
प्याकेजिङ:
रील
शृङ्खला:
SI7
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
2 N-Channel
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
6 S
पतन समय:
10 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
40 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
3000
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
5 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
10 ns
भाग # उपनाम:
SI7946DP-T1-E3 SI7946DP-T1-GE3
Tags
SI7946, SI794, SI79, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R
***ark
Dual N-Channel 150-V (D-S) Mosfet
***i-Key
MOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8
Integrated MOSFET Solutions
Vishay Integrated MOSFET Solutions combine components into a single monolithic chip to increase power density, increase efficiency, simplify design, and reduce Bill of Material (BOM) costs. These single- and multi-die MOSFETs integrate features such as Schottky Barrier diodes and ESD protection. These MOSFETs feature low ON-resistance N- and P-channel TrenchFET® technologies and low thermal resistance. 
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SI7946ADP-T1-GE3
DISTI # SI7946ADP-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 150V POWERPAK SO8
RoHS: Not compliant
Min Qty: 6000
Container: Tape & Reel (TR)		Temporarily Out of Stock
  • 6000:$1.0814
SI7946ADP-T1-GE3
DISTI # SI7946ADP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-Pin PowerPAK SO T/R - Tape and Reel (Alt: SI7946ADP-T1-GE3)
RoHS: Not Compliant
Min Qty: 6000
Container: Reel		Americas - 0
  • 6000:$1.0999
  • 12000:$1.0679
  • 18000:$1.0239
  • 30000:$0.9959
  • 60000:$0.9689
SI7946ADP-T1-GE3
DISTI # 78-SI7946ADP-T1-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.3500
  • 10:$1.9600
  • 100:$1.5200
  • 500:$1.3300
  • 1000:$1.1000
  • 3000:$1.0300
  • 6000:$0.9840
छवि भाग # विवरण
SI7946ADP-T1-GE3

Mfr.#: SI7946ADP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7946ADP-T1-GE3

 MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
SI7946ADP-T1-GE3

Mfr.#: SI7946ADP-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI7946ADP-T1-GE3-VISHAY

 MOSFET 150V 7.7 A 19.8W
SI7946ADP

Mfr.#: SI7946ADP

OMO.#: OMO-SI7946ADP-1190

 नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
5500
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ २.३४
US$ २.३४
10
US$ १.९५
US$ १९.५०
100
US$ १.५१
US$ १५१.००
500
US$ १.३२
US$ ६६०.००
1000
US$ १.०९
US$ १ ०९०.००
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