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IXFN38N100Q2

IXFN38N100Q2
Mfr. #:
IXFN38N100Q2
निर्माता:
IXYS
विवरण:
MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
IXFN38N100Q2 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
IXYS
उत्पादन कोटि
मोड्युल
शृङ्खला
HiPerFET
प्याकेजिङ
ट्यूब
एकाइ - वजन
1.340411 oz
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
ट्रेडनेम
HyperFET
प्याकेज-केस
SOT-227-4, miniBLOC
प्रविधि
सि
सञ्चालन - तापक्रम
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिङ-प्रकार
चेसिस माउन्ट
च्यानलहरूको संख्या
1 Channel
आपूर्तिकर्ता-उपकरण-प्याकेज
SOT-227B
कन्फिगरेसन
एकल दोहोरो स्रोत
FET-प्रकार
MOSFET एन-च्यानल, धातु अक्साइड
पावर-अधिकतम
890W
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
1 N-Channel
ड्रेन-टू-स्रोत-भोल्टेज-Vdss
1000V (1kV)
इनपुट-Capacitance-Ciss-Vds
7200pF @ 25V
FET - सुविधा
मानक
वर्तमान-निरन्तर-नाली-Id-25°C
38A
Rds-on-max-Id-Vgs
250 mOhm @ 19A, 10V
Vgs-th-max-Id
5V @ 8mA
गेट-चार्ज-Qg-Vgs
250nC @ 10V
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
890 W
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
पतन-समय
15 ns
उदय-समय
28 ns
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
30 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
38 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
1000 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
250 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
N- च्यानल
सामान्य-टर्न-अफ-ढिलाइ-समय
57 ns
सामान्य-टर्न-अन-डिले-समय
25 ns
च्यानल-मोड
वृद्धि
Tags
IXFN38N1, IXFN38, IXFN3, IXFN, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ource
N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, Low Intrinsic Rg High dV/dt, Low trr
***ical
Trans MOSFET N-CH 1KV 38A 4-Pin SOT-227B
***enic
1kV 38A 250m´Î@10V19A 890W 5V@8mA N Channel SOT-227B MOSFETs ROHS
*** Stop Electro
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1000V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
IXFN38N100Q2
DISTI # IXFN38N100Q2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tube		Limited Supply - Call
    IXFN38N100Q2
    DISTI # 747-IXFN38N100Q2    		IXYS CorporationMOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
    RoHS: Compliant    		0
      छवि भाग # विवरण
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P

      		 MOSFET 38 Amps 1000V
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2

      		 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      IXFN38N100

      Mfr.#: IXFN38N100

      OMO.#: OMO-IXFN38N100-1190

      		 नयाँ र मौलिक
      IXFN38N100P

      Mfr.#: IXFN38N100P

      OMO.#: OMO-IXFN38N100P-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
      IXFN38N100Q2

      Mfr.#: IXFN38N100Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N100Q2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
      IXFN38N80Q2

      Mfr.#: IXFN38N80Q2

      OMO.#: OMO-IXFN38N80Q2-IXYS-CORPORATION

      		 MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds
      उपलब्धता
      स्टक:
      Available
      अर्डर मा:
      3000
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      IXFN38N100Q2 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
      सन्दर्भ मूल्य (USD)
      मात्रा
      एकाइ मूल्य
      विस्तार मूल्य
      1
      US$ ०.००
      US$ ०.००
      10
      US$ ०.००
      US$ ०.००
      100
      US$ ०.००
      US$ ०.००
      500
      US$ ०.००
      US$ ०.००
      1000
      US$ ०.००
      US$ ०.००
      2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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