STD110N02RT4G-VF01

STD110N02RT4G-VF01
Mfr. #:
STD110N02RT4G-VF01
निर्माता:
ON Semiconductor
विवरण:
MOSFET NFET DPAK 24V SPCL
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
STD110N02RT4G-VF01 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
ON अर्धचालक
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
DPAK-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
24 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
110 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
4.1 mOhms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
1 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
20 V
Qg - गेट चार्ज:
28 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 175 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
110 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
योग्यता:
AEC-Q101
प्याकेजिङ:
रील
ब्रान्ड:
ON अर्धचालक
पतन समय:
21 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
39 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
2500
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
27 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
11 ns
Tags
STD110N0, STD110N, STD110, STD11, STD1, STD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
***Semiconductor
Single N-Channel Power MOSFET 24V, 110A, 4.6mΩ
***et
Trans MOSFET N-CH 24V 110A 3-Pin DPAK T/R
***ark
NFET DPAK 24V SPCL TR / REEL
***i-Key
MOSFET N-CH 24V 32A DPAK
छवि भाग # विवरण
NVD5117PLT4G

Mfr.#: NVD5117PLT4G

OMO.#: OMO-NVD5117PLT4G

MOSFET 60V T1 PCH DPAK
NVD5117PLT4G

Mfr.#: NVD5117PLT4G

OMO.#: OMO-NVD5117PLT4G-1190

MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
1985
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
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US$ १.१५
10
US$ ०.९८
US$ ९.७६
100
US$ ०.७५
US$ ७४.९०
500
US$ ०.६६
US$ ३३१.००
1000
US$ ०.५२
US$ ५२३.००
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