SH8M31GZETB

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ROHM अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

SOP-8

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

एन-च्यानल, पी-च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

60 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

4.5 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

65 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

1 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

20 V

Qg - गेट चार्ज:

7 nC, 40 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

2 W

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel, 1 P-Channel

ब्रान्ड:

ROHM अर्धचालक

पतन समय:

13 ns, 40 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

18 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

2500

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

40 ns, 100 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

12 ns, 17 ns

Tags

SH8M3, SH8M, SH8