SQJB68EP-T1_GE3

Mfr. #:: SQJB68EP-T1_GE3
निर्माता:: Vishay / Siliconix
विवरण:: MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
जीवन चक्र:: यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:: SQJB68EP-T1_GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:: DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:: T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:: SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet (P4-P6)SQJB68EP-T1_GE3 Datasheet (P7)
ECAD Model:

उत्पादन विशेषता
विशेषता मान

निर्माता:: विसय

उत्पादन कोटि:: MOSFET

RoHS:: Y

प्रविधि:: सि

माउन्टिङ शैली:: SMD/SMT

प्याकेज / केस:: PowerPAK SO-8

च्यानलहरूको संख्या:: 2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:: N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:: 100 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:: 11 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:: 92 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:: 1.5 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:: 20 V

Qg - गेट चार्ज:: 8 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:: - 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:: + 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:: 27 W

कन्फिगरेसन:: दोहोरो

च्यानल मोड:: वृद्धि

योग्यता:: AEC-Q101

प्याकेजिङ:: रील

ट्रान्जिस्टर प्रकार:: 2 N-Channel

ब्रान्ड:: Vishay / Siliconix

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:: 8.6 S

पतन समय:: 5 ns

उत्पादन प्रकार:: MOSFET

उठ्ने समय:: 5 ns

कारखाना प्याक मात्रा:: 3000

उपश्रेणी:: MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:: 15 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:: 9 ns

Tags: SQJB6, SQJB, SQJ

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SQJB68EP-T1_GE3 विवरण

***et Europe: TrenchFET Power MOSFET Automotive N-Channel Dual 100V VDS ±20V VGS 11A ID 175°C 8-Pin PowerPAK SOIC T/R

***ical: Trans MOSFET N-CH 100V 11A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R

***ark: Mosfet, Aec-Q101, Dual N-Ch, 100V, 11A; Transistor Polarity:dual N Channel; Continuous Drain Current Id:11A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(On):0.0765Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Rohs Compliant: Yes

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उपलब्धता

स्टक:: Available
अर्डर मा:: 1985
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1: ~~US$ ०.९३~~; ~~US$ ०.९३~~

10: ~~US$ ०.७५~~; ~~US$ ७.४६~~

100: ~~US$ ०.५७~~; ~~US$ ५६.६०~~

500: ~~US$ ०.४७~~; ~~US$ २३४.००~~

1000: ~~US$ ०.३७~~; ~~US$ ३७४.००~~

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