NTH4L040N65S3F

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

ON अर्धचालक

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-247-4

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

650 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

65 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

40 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

3 V

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

158 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

446 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

व्यापार नाम:

SuperFET III

प्याकेजिङ:

ट्यूब

शृङ्खला:

SuperFET3

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

1 N-Channel

ब्रान्ड:

ON अर्धचालक

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

48 S

पतन समय:

6 ns

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

23 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

450

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

96 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

44 ns

Tags

NTH4, NTH