SIHFR420A-GE3

SIHFR420A-GE3
Mfr. #:
SIHFR420A-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SIHFR420A-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
विसय
उत्पादन कोटि:
MOSFET
RoHS:
Y
प्रविधि:
सि
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
TO-252-3
च्यानलहरूको संख्या:
1 Channel
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
500 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
3.3 A
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
3 Ohms
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
2 V
Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:
30 V
Qg - गेट चार्ज:
17 nC
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 55 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
83 W
कन्फिगरेसन:
एकल
च्यानल मोड:
वृद्धि
उचाइ:
2.38 mm
लम्बाइ:
6.73 mm
शृङ्खला:
SIH
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
1 N-Channel
चौडाइ:
6.22 mm
ब्रान्ड:
Vishay / Siliconix
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
1.4 S
पतन समय:
13 ns
उत्पादन प्रकार:
MOSFET
उठ्ने समय:
12 ns
कारखाना प्याक मात्रा:
1
उपश्रेणी:
MOSFETs
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
16 ns
सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:
8.1 ns
Tags
SIHFR4, SIHFR, SIHF, SIH
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छवि भाग # विवरण
SIHFR420TRL-GE3

Mfr.#: SIHFR420TRL-GE3

OMO.#: OMO-SIHFR420TRL-GE3

MOSFET 500V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
SIHFR420A-GE3

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MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
SIHFR430ATR-GE3

Mfr.#: SIHFR430ATR-GE3

OMO.#: OMO-SIHFR430ATR-GE3

MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
SIHFR430ATRL-GE3

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MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
SIHFR430ATRR-GE3

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MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
उपलब्धता
स्टक:
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500
US$ ०.४८
US$ २३८.००
1000
US$ ०.३८
US$ ३८०.००
2500
US$ ०.३४
US$ ८६२.५०
5000
US$ ०.३२
US$ १ ६०५.००
10000
US$ ०.३१
US$ ३ ०९०.००
25000
US$ ०.३०
US$ ७ ४२५.००
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