BSD840NH6327XT

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

इन्फिनोन

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

सि

माउन्टिङ शैली:

SMD/SMT

प्याकेज / केस:

SOT-363-6

च्यानलहरूको संख्या:

2 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

20 V

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

880 mA

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

270 mOhms, 270 mOhms

Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:

300 mV

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

8 V

Qg - गेट चार्ज:

260 pC, 260 pC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 150 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

500 mW (1/2 W)

कन्फिगरेसन:

दोहोरो

च्यानल मोड:

वृद्धि

योग्यता:

AEC-Q101

प्याकेजिङ:

रील

उचाइ:

0.9 mm

लम्बाइ:

2 mm

शृङ्खला:

BSD840

ट्रान्जिस्टर प्रकार:

2 N-Channel

चौडाइ:

1.25 mm

ब्रान्ड:

Infineon टेक्नोलोजीहरू

फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:

2.5 S, 2.5 S

पतन समय:

900 ps, 900 ps

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

उठ्ने समय:

2.2 ns, 2.2 ns

कारखाना प्याक मात्रा:

3000

उपश्रेणी:

MOSFETs

सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:

7.8 ns, 7.8 ns

सामान्य टर्न-अन ढिलाइ समय:

1.9 ns, 1.9 ns

भाग # उपनाम:

BSD840NH6327XTSA1 SP000917654

एकाइ वजन:

0.000265 oz

Tags

BSD840NH6327X, BSD840NH, BSD84, BSD8, BSD