GA10SICP12-247

उत्पादन विशेषता

विशेषता मान

निर्माता:

GeneSiC सेमीकन्डक्टर

उत्पादन कोटि:

MOSFET

RoHS:

Y

प्रविधि:

SiC

माउन्टिङ शैली:

प्वाल मार्फत

प्याकेज / केस:

TO-247-3

च्यानलहरूको संख्या:

1 Channel

ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:

N- च्यानल

Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:

1.2 kV

आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:

25 A

Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:

100 mOhms

Vgs - गेट-स्रोत भोल्टेज:

30 V

Qg - गेट चार्ज:

55 nC

न्यूनतम परिचालन तापमान:

- 55 C

अधिकतम परिचालन तापमान:

+ 175 C

Pd - शक्ति अपव्यय:

170 W

कन्फिगरेसन:

एकल

च्यानल मोड:

वृद्धि

प्याकेजिङ:

ट्यूब

शृङ्खला:

GA10SICP12

ब्रान्ड:

GeneSiC सेमीकन्डक्टर

उत्पादन प्रकार:

MOSFET

कारखाना प्याक मात्रा:

30

उपश्रेणी:

MOSFETs

एकाइ वजन:

1.340411 oz

Tags

GA10S, GA10, GA1