TK4A6

TK4A60D(STA4,Q,M) vs TK4A60DB(STA4,Q,M) vs TK4A60DA(STA4,Q,M)

 
PartNumberTK4A60D(STA4,Q,M)TK4A60DB(STA4,Q,M)TK4A60DA(STA4,Q,M)
DescriptionMOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uAMOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 OhmMOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
ManufacturerToshibaToshibaToshiba
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleThrough HoleThrough HoleThrough Hole
Package / CaseTO-220FP-3TO-220FP-3TO-220FP-3
Number of Channels1 Channel1 Channel1 Channel
Transistor PolarityN-ChannelN-ChannelN-Channel
Vds Drain Source Breakdown Voltage600 V600 V600 V
Id Continuous Drain Current4 A3.7 A3.5 A
Rds On Drain Source Resistance1.7 Ohms2.2 Ohms1.7 Ohms
ConfigurationSingleSingleSingle
Height15 mm15 mm15 mm
Length10 mm10 mm10 mm
SeriesTK4A60DTK4A60DBTK4A60DA
Transistor Type1 N-Channel1 N-Channel1 N-Channel
Width4.5 mm4.5 mm4.5 mm
BrandToshibaToshibaToshiba
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Factory Pack Quantity505050
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Pd Power Dissipation-25 W35 W
Unit Weight-0.211644 oz-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage--4.4 V
Vgs Gate Source Voltage--30 V
Qg Gate Charge--11 nC
Minimum Operating Temperature--- 55 C
Maximum Operating Temperature--+ 150 C
Channel Mode--Enhancement
Forward Transconductance Min--0.6 S
Fall Time--8 ns
Rise Time--18 ns
Typical Turn Off Delay Time--55 ns
Typical Turn On Delay Time--40 ns
  • बाट सुरु गर्नुहोस्
  • TK4A6 48
  • TK4A 63
  • TK4 271
निर्माता भाग # विवरण RFQ
Toshiba
Toshiba
TK4A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
TK4A60DB(STA4,Q,M) MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
TK4A60DA(STA4,Q,M) MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
TK4A65DA(STA4,Q,M) MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
TK4A60DA(STA4,Q,M) Darlington Transistors MOSFET N-ch 600V 3.5A TO-220SIS
TK4A65DA(STA4,Q,M) MOSFET N-Ch MOS 3.5A 650V 35W 600pF 1.9 Ohm
TK4A60D(STA4,Q,M) MOSFET N-Ch FET 600V 2.5s IDSS 10 uA
TK4A60DB(STA4,Q,M) MOSFET N-Ch MOS 3.7A 600V 25W 540pF 2.2 Ohm
TK4A60D MOSFET, N CH, 600V, 40A, TO220SIS
TK4A60D(STA4 नयाँ र मौलिक
TK4A60D(STA4 Q M) नयाँ र मौलिक
TK4A60D(STA4,X,S) नयाँ र मौलिक
TK4A60D(STA4QM) नयाँ र मौलिक
TK4A60D,K4A60D नयाँ र मौलिक
TK4A60D,TK4A60DA,TK4A60D नयाँ र मौलिक
TK4A60D/4N60 नयाँ र मौलिक
TK4A60D5 नयाँ र मौलिक
TK4A60DA नयाँ र मौलिक
TK4A60DA K4A60DA नयाँ र मौलिक
TK4A60DA TK4A60D नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(DTA4.X.M) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(Q) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA,X,M) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4,X,M नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4,X,M) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4,X,S) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4QM) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4XM नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4XM) नयाँ र मौलिक
TK4A60DA,K4A60DA,TK4A60D नयाँ र मौलिक
TK4A60DA,S5Q(J नयाँ र मौलिक
TK4A60DA5 नयाँ र मौलिक
TK4A60DAQM Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 600V, 2.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
TK4A60DAR नयाँ र मौलिक
TK4A60DAR TK4A60DA नयाँ र मौलिक
TK4A60DAR,TK4A60DA,K4A60 नयाँ र मौलिक
TK4A60DAR-220F नयाँ र मौलिक
TK4A60DB नयाँ र मौलिक
TK4A60DB(STA4QM) नयाँ र मौलिक
TK4A60DB,K4A60DB नयाँ र मौलिक
TK4A60DBTA4 नयाँ र मौलिक
TK4A65DA नयाँ र मौलिक
TK4A65DA TK3A65D नयाँ र मौलिक
TK4A65DA,K4A65D, नयाँ र मौलिक
TK4A60DASTA4XM नयाँ र मौलिक
TK4A60D(STA4QM)-ND नयाँ र मौलिक
TK4A60DA(STA4QM)-ND नयाँ र मौलिक
TK4A60DB(STA4QM)-ND नयाँ र मौलिक
TK4A65DA(STA4QM)-ND नयाँ र मौलिक
Top