 | |  | |
| PartNumber | TH58NYG3S0HBAI4 | TH58NYG2S3HBAI4 | TH58NYG2S3HBAI6 |
| Description | NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) |
| Manufacturer | Toshiba | Toshiba | Toshiba |
| Product Category | NAND Flash | NAND Flash | NAND Flash |
| RoHS | Y | Y | Y |
| Mounting Style | SMD/SMT | SMD/SMT | SMD/SMT |
| Package / Case | TFBGA-63 | TFBGA-63 | VFBGA-67 |
| Memory Size | 8 Gbit | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Interface Type | Parallel | Parallel | Parallel |
| Organization | 1 G x 8 | 512 M x 8 | 512 M x 8 |
| Timing Type | Synchronous | Synchronous | - |
| Data Bus Width | 8 bit | 8 bit | 8 bit |
| Supply Voltage Min | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| Supply Voltage Max | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
| Supply Current Max | 30 mA | 30 mA | - |
| Minimum Operating Temperature | - 40 C | - 40 C | - 40 C |
| Maximum Operating Temperature | + 85 C | + 85 C | + 85 C |
| Packaging | Tray | Tray | Tray |
| Memory Type | NAND | NAND | NAND |
| Brand | Toshiba Memory | Toshiba Memory | Toshiba Memory |
| Moisture Sensitive | Yes | Yes | Yes |
| Product Type | NAND Flash | NAND Flash | NAND Flash |
| Factory Pack Quantity | 210 | 210 | 210 |
| Subcategory | Memory & Data Storage | Memory & Data Storage | Memory & Data Storage |
| Product | - | NAND Flash | - |
| Speed | - | 25 ns | - |
| Architecture | - | Block Erase | - |
| Maximum Clock Frequency | - | - | - |
| निर्माता | भाग # | विवरण | RFQ |
|---|---|---|---|
Toshiba Memory |
TH58NYG3S0HBAI4 | NAND Flash 1.8V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | |
| TH58NYG2S3HBAI4 | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | ||
| TH58NYG3S0HBAI6 | NAND Flash 1.95V 8Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | ||
| TH58NYG2S3HBAI6 | NAND Flash 1.8V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM) | ||
| TH58NYG2S3HBAI4 | Flash Memory 4Gb 1.8V IC Flash NAND EEPROM | ||
| TH58NYG3S0HBAI4 | 8GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 3.3V | ||
| TH58NYG3S0HBAI6 | NAND Flash Serial 1.8V 8G-bit 1G x 8 67-Pin VFBGA | ||
| TH58NVG7S2FTA30 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG6D2FTA20 NE2693 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG6D7FBAK2 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG6E2FLA4C | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG6H2HTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG6H2HTK00 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG6S2FTA20 | NAND FLASH MEMORY - Rail/Tube (Alt: TH58NVG6S2FTA20) | ||
| TH58NVG7D2ELA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG7D2FLA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG7D2FTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG7D2HTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG7H2HTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG8D2ELA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG8D2ELAM9-UC2 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG8D2FLA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVG8D7FBASB | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVGDD2ELAA9 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NYG4S0FBAID | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NYG4S5FBAID | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TA67E2F8A89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG6E2FBA49 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG6S2FBA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG7D2FBAS9 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG7E2FBA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG7S2FBA89 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG8S2FBA8A | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG6D2HBA4C | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG6DDKTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG6H2HBA4C | TH58TEG6H2HBA4C - Bulk (Alt: TH58TEG6H2HBA4C) | ||
| TH58TEG7D2HBA4C | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7DCJTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7DDJBA4C | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7DDJTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NYG2S3HBAI4-ND | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NYG3S0HBAI4-ND | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NYG3S0HBAI6-ND | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58NVGB1S3AFT05 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TAG7D2FBA89 | NAND - Bulk (Alt: TH58TAG7D2FBA89) | ||
| TH58TEG6H2HBAMC | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7D2HTA20 | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7DCJTA20 16GB | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7DDKBA4C | नयाँ र मौलिक | ||
| TH58TEG7DDKLAKF | नयाँ र मौलिक |