SQ2

SQ2308CES-T1_GE3 vs SQ2303ES-T1_GE3 vs SQ2308CES-T1-GE3

 
PartNumberSQ2308CES-T1_GE3SQ2303ES-T1_GE3SQ2308CES-T1-GE3
DescriptionMOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 QualifiedMOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 QualifiedMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2308CES-T1_GE3
ManufacturerVishayVishayVishay
Product CategoryMOSFETMOSFETMOSFET
RoHSYYY
TechnologySiSiSi
Mounting StyleSMD/SMTSMD/SMT-
Package / CaseSOT-23-3SOT-23-3-
Number of Channels1 Channel1 Channel-
Transistor PolarityN-ChannelP-Channel-
Vds Drain Source Breakdown Voltage60 V30 V-
Id Continuous Drain Current2.3 A2.5 A-
Rds On Drain Source Resistance150 mOhms170 mOhms-
Vgs th Gate Source Threshold Voltage1.5 V1.5 V-
Vgs Gate Source Voltage10 V10 V-
Qg Gate Charge5.3 nC4.5 nC-
Minimum Operating Temperature- 55 C- 55 C-
Maximum Operating Temperature+ 175 C+ 175 C-
Pd Power Dissipation2 W1.9 W-
ConfigurationSingleSingle-
Channel ModeEnhancementEnhancement-
QualificationAEC-Q101AEC-Q101AEC-Q101
TradenameTrenchFETTrenchFETTrenchFET
PackagingReelReelReel
SeriesSQSQSQ
Transistor Type1 N-Channel1 P-Channel-
BrandVishay / SiliconixVishay / SiliconixVishay / Siliconix
Forward Transconductance Min5.5 S4 S-
Fall Time12 ns8 ns-
Product TypeMOSFETMOSFETMOSFET
Rise Time9 ns8 ns-
Factory Pack Quantity300030003000
SubcategoryMOSFETsMOSFETsMOSFETs
Typical Turn Off Delay Time12 ns12 ns-
Typical Turn On Delay Time4 ns5 ns-
Unit Weight0.000282 oz0.000282 oz0.000282 oz
Part # Aliases--SQ2308ES-T1-GE3
  • बाट सुरु गर्नुहोस्
  • SQ2 218
निर्माता भाग # विवरण RFQ
Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix
SQ2308CES-T1_GE3 MOSFET 60V 2.3A 2watt AEC-Q101 Qualified
SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
SQ2309ES-T1-GE3 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2309ES-T1_GE3
SQ2308CES-T1-GE3 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2308CES-T1_GE3
Vishay
Vishay
SQ2303ES-T1_GE3 MOSFET P-CHAN 30V SOT23
SQ2301ES-T1_GE3 MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
SQ2308CES-T1_GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A
SQ2308CES-T1_GE3-CUT TAPE नयाँ र मौलिक
SQ2000800DIDNC नयाँ र मौलिक
SQ2003DW नयाँ र मौलिक
SQ2003J/883 नयाँ र मौलिक
SQ201 RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, SILICON, N-CHANNEL, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET
SQ2019H2 नयाँ र मौलिक
SQ201AJ नयाँ र मौलिक
SQ202 नयाँ र मौलिक
SQ203AJ नयाँ र मौलिक
SQ212 नयाँ र मौलिक
SQ2200 नयाँ र मौलिक
SQ2200 3.579545M नयाँ र मौलिक
SQ2200-.25MHZ नयाँ र मौलिक
SQ2200-42.000M नयाँ र मौलिक
SQ2200-5.000M नयाँ र मौलिक
SQ22001600M नयाँ र मौलिक
SQ2200E-1.000M नयाँ र मौलिक
SQ221 नयाँ र मौलिक
SQ224532.768MHZ नयाँ र मौलिक
SQ2245E-11.520 MHZ नयाँ र मौलिक
SQ2245ES-1.8432M नयाँ र मौलिक
SQ2245SV-10.0M नयाँ र मौलिक
SQ23-010 नयाँ र मौलिक
SQ230 नयाँ र मौलिक
SQ2301ES नयाँ र मौलिक
SQ2301ES-T1-E3 नयाँ र मौलिक
SQ2301ES-T1-GE3 P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSF
SQ2303ES नयाँ र मौलिक
SQ2303ES-T1-GE3 P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
SQ2306 नयाँ र मौलिक
SQ2308 नयाँ र मौलिक
SQ2308BES नयाँ र मौलिक
SQ2308BES-T1-E3 नयाँ र मौलिक
SQ2308BES-T1-GE3 नयाँ र मौलिक
SQ2308CES नयाँ र मौलिक
SQ2308CES-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
SQ2308E नयाँ र मौलिक
SQ2308ES नयाँ र मौलिक
SQ2308ES-T1-GE3 Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R (Alt: SQ2308ES-T1-GE3)
SQ2308ES-TI-GE3 नयाँ र मौलिक
SQ2308EST1GE3 Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 60V, 0.155ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
SQ2309ES-T1-E3 नयाँ र मौलिक
SQ2309ES-T1-GE3 Trans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Top