 |  | | |
| PartNumber | SIS606BDN-T1-GE3 | SIS60020F00A100 | SIS601T1G |
| Description | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | ||
| Manufacturer | Vishay | - | - |
| Product Category | MOSFET | - | - |
| RoHS | Y | - | - |
| Technology | Si | - | - |
| Mounting Style | SMD/SMT | - | - |
| Package / Case | PowerPAK-1212-8 | - | - |
| Number of Channels | 1 Channel | - | - |
| Transistor Polarity | N-Channel | - | - |
| Vds Drain Source Breakdown Voltage | 100 V | - | - |
| Id Continuous Drain Current | 35.3 A | - | - |
| Rds On Drain Source Resistance | 14.5 mOhms | - | - |
| Vgs th Gate Source Threshold Voltage | 2 V | - | - |
| Vgs Gate Source Voltage | 10 V | - | - |
| Qg Gate Charge | 20 nC | - | - |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | - | - |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | - | - |
| Pd Power Dissipation | 52 W | - | - |
| Configuration | Single | - | - |
| Channel Mode | Enhancement | - | - |
| Tradename | TrenchFET, PowerPAK | - | - |
| Packaging | Reel | - | - |
| Series | SIS | - | - |
| Transistor Type | 1 N-Channel | - | - |
| Brand | Vishay / Siliconix | - | - |
| Fall Time | 5 ns | - | - |
| Product Type | MOSFET | - | - |
| Rise Time | 5 ns | - | - |
| Factory Pack Quantity | 3000 | - | - |
| Subcategory | MOSFETs | - | - |
| Typical Turn Off Delay Time | 19 ns | - | - |
| Typical Turn On Delay Time | 12 ns | - | - |
| निर्माता | भाग # | विवरण | RFQ |
|---|---|---|---|
Vishay / Siliconix |
SIS606BDN-T1-GE3 | MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8 | |
| SIS626DN-T1-GE3 | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SISH112DN-T1-GE3 | ||
| SIS612EDNT-T1-GE3 | MOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8S | ||
| SIS60020F00A100 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS601T1G | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6116-10 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS620 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS620 A2 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6202 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6205 | SIS6205 | ||
| SIS620A2DW | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS620A2FX | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6215 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6215-C2 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630 | IC, GRAPHICS DRIVER, BGA | ||
| SIS630E | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630EA1WA-AB-1 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630ET | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630ET-BO | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630KAB1 DA | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630S | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630SEBO | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630ST | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS630ST A1 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6326 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6326AGP | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6326C5 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6326DVD | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS633 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6360M-1R0RT | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6360M-1R0T | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS6362 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS645 | CHIPSET WITH DDR SDRAM PC2100/2700 SUPPORT FOR INTEL PENTIUM 4, NORTH BRIDGE, BGA702 | ||
| SIS645DX | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS645DX/BO | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS645DXUA | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648 CO | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648 BO | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648 C0 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648 FX B0 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648(B0) | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648/A2 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648A2CA | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648A2CA-AH-1 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648A2CA-DH-1 | नयाँ र मौलिक | ||
| SIS648BODA | नयाँ र मौलिक | ||
Vishay |
SIS612EDNT-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 50A SMT | |
| SIS606BDN-T1-GE3 | MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK 1212 | ||
| SIS626DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 25V 16A POWERPAK1212 |