|
|
SEMI |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI-TECHMZ-01 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI201209U3R3KT |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI202GB128DS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI2606 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI322513U4R7KT(4.7UH |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI4402A |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI4402BCD |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI6406 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMI8401 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIBZX84C3V3LT1 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMICONDCTORS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMICONDUCTOR |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMICONDUCTOR SELECTION |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMICONOUCTOR |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIKRON |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIPACK |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMITEC-S-452T; |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMITRANSM1 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIV/R220K |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX101GD066HDS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX101GD126HDS |
IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 129A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:129A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce |
|
| SEMIX101GD128DC |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX101GD128DS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX101GD12E4S |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX101GD12T4S |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX151GB12E4V4 |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX151GB12T4S |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
|
| SEMIX151GD126HDS |
SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 100A |
|
| SEMIX151GD128DS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX151GD12E4S |
IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 232A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:232A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce |
|
| SEMIX171KH16S |
RECTIFIER/THYRISTOR DIODE MODULE, 1600V, SEMIX |
|
| SEMIX201GD128DS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB066HD |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB066HDS |
IGBT MODULE, DUAL, 600V, 275A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:275A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V, Power Dissipation Pd:45W, Collector Emitter Voltage V(b |
|
| SEMIX202GB128D |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB128DS |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB12E4S |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB12T4S |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB12V4S |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX202GB12VS |
IGBT, MODULE, 1.2KV, 310A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:310A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo: |
|
| SEMIX223GD12E4C |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX241DH16S |
THYRISTOR DIODE MODULE 300A, 1.6KV, SCR Module Type:Bridge Rectifier, Three Phase - SCR / Diode, Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.6kV, Gate Trigger Current Max, Igt:150mA, Current It av:2 |
|
| SEMIX241MD008S |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX251GD126HDS |
IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC |
|
| SEMIX252GB126HD |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX252GB126HDS |
IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 242A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:242A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br) |
|
| SEMIX253GB126HD |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX253GD126HDC |
नयाँ र मौलिक |
|
| SEMIX291D16S |
नयाँ र मौलिक |
|
