SEM

SEMIBZX84C3V3LT1 vs SEMICONDUCTOR vs SEMIKRON

 
PartNumberSEMIBZX84C3V3LT1SEMICONDUCTORSEMIKRON
Description
  • बाट सुरु गर्नुहोस्
  • SEM 492
निर्माता भाग # विवरण RFQ
SEMIBZX84C3V3LT1 नयाँ र मौलिक
SEMICONDUCTOR नयाँ र मौलिक
SEMIKRON नयाँ र मौलिक
SEMIPACK नयाँ र मौलिक
SEMITEC-S-452T; नयाँ र मौलिक
SEMITRANSM1 नयाँ र मौलिक
SEMIV/R220K नयाँ र मौलिक
SEMIX101GD066HDS नयाँ र मौलिक
SEMIX101GD126HDS IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 129A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:129A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX101GD128DC नयाँ र मौलिक
SEMIX101GD128DS नयाँ र मौलिक
SEMIX101GD12E4S नयाँ र मौलिक
SEMIX151GB12E4V4 नयाँ र मौलिक
SEMIX151GB12T4S Insulated Gate Bipolar Transistor, 230A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
SEMIX151GD126HDS SEMIX, Trench IGBT Module, 1200V, 100A
SEMIX151GD128DS नयाँ र मौलिक
SEMIX151GD12E4S IGBT MODULE, SIX, 1.2KV, 232A, Transistor Polarity:Six NPN, DC Collector Current:232A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.8V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ce
SEMIX171KH16S RECTIFIER/THYRISTOR DIODE MODULE, 1600V, SEMIX
SEMIX201GD128DS नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB066HD नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB066HDS IGBT MODULE, DUAL, 600V, 275A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:275A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.45V, Power Dissipation Pd:45W, Collector Emitter Voltage V(b
SEMIX202GB128DS नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB12E4S नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB12T4S नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB12V4S नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB12VS IGBT, MODULE, 1.2KV, 310A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:310A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.75V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:
SEMIX223GD12E4C नयाँ र मौलिक
SEMIX241DH16S THYRISTOR DIODE MODULE 300A, 1.6KV, SCR Module Type:Bridge Rectifier, Three Phase - SCR / Diode, Peak Repetitive Off-State Voltage, Vdrm:1.6kV, Gate Trigger Current Max, Igt:150mA, Current It av:2
SEMIX241MD008S नयाँ र मौलिक
SEMIX251GD126HDS IGBT, 1200 V, 250 A @ 25 DegC, 260 A @ 80 DegC, 1.7 V @ 25 degC
SEMIX252GB126HD नयाँ र मौलिक
SEMIX252GB126HDS IGBT MODULE, DUAL, 1.2KV, 242A, Transistor Polarity:Dual NPN, DC Collector Current:242A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):1.7V, Power Dissipation Pd:-, Collector Emitter Voltage V(br)
SEMIX253GB126HD नयाँ र मौलिक
SEMIX253GD126HDC नयाँ र मौलिक
SEMIX291D16S नयाँ र मौलिक
SEMIX302GAR12E4S नयाँ र मौलिक
SEMIX302GB126HDS नयाँ र मौलिक
SEMIX302GB126HS नयाँ र मौलिक
SEMIX302GB128D IGBT 4 (Trench)
SEMIX302GB128DS नयाँ र मौलिक
SEMIX302GB12E4S नयाँ र मौलिक
SEMIX302GB12T4S नयाँ र मौलिक
SEMIX302KD16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KH16S SEMIX, Trench IGBT Module, 1600V, 300A
SEMIX302KT16S SEMIX, Trench Rectifier Thyristor Module, 1600V, 300A
SEMICONDCTORS नयाँ र मौलिक
SEMICONDUCTOR SELECTION नयाँ र मौलिक
SEMICONOUCTOR नयाँ र मौलिक
SEMIX101GD12T4S नयाँ र मौलिक
SEMIX202GB128D नयाँ र मौलिक
Top