 | | | |
| PartNumber | MTY016N-01 | MTY100A1200V | MTY100A800V |
| Description |
| निर्माता | भाग # | विवरण | RFQ |
|---|---|---|---|
| MTY016N-01 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY100A1200V | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY100A800V | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY100N10 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY100N10E-D | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY100N10EG | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY100N10F | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY10N100E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY12N12N | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY14N100 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY14N100E | Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 1000V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | ||
| MTY150-08-040313 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY150A | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY160Y16 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY16N80E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY200A1800V | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY20N50E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY22N60E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY250A | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY250A1600V | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY25N100E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY25N60 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY25N60E | Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 600V, 0.21ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | ||
| MTY25N60ECX | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY25N60EG | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY300-06 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY30M50E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY30N50 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY30N50E | Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 500V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA | ||
| MTY30N60 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY30N60E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY32-600 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY50N50 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY55N20 | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY55N20E | MOSFET Transistor, N-Channel, TO-264AA | ||
| MTY55N20EG | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY6N100E | नयाँ र मौलिक | ||
| MTY80A1000V | नयाँ र मौलिक | ||
ON Semiconductor |
MTY100N10E | MOSFET N-CH 100V 100A TO-264 |