| निर्माता | भाग # | विवरण | RFQ |
|---|---|---|---|
| GD200CEY120C2S | 650W Dual 50A Silicon Carbide Schottky Diode | ||
| GD200 | नयाँ र मौलिक | ||
| GD2001DR | नयाँ र मौलिक | ||
| GD2003GP | नयाँ र मौलिक | ||
| GD2005B | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200CUL120C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200FFT65C5S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200FFY65C6S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFK60C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFL120C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFL120C2ST | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFL120C8S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFL120C8SN | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFT120C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFT170C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFT60C1S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFT60C8S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFU120C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFU120C8S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200HFY120C2S | IGBT MOD, 1.2KV, 309A, 150DEG C, 1.006KW, Transistor Polarity:Dual N Channel, DC Collector Current:309A, Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on):2V, Power Dissipation Pd:1.006kW, Collector E | ||
| GD200MLT120C2S | नयाँ र मौलिक | ||
| GD200SGU120C2SC | नयाँ र मौलिक |
