DMN8

DMN80H2D0SCTI vs DMN8100-C0 vs DMN8102

 
PartNumberDMN80H2D0SCTIDMN8100-C0DMN8102
DescriptionMOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
ManufacturerDiodes Incorporated--
Product CategoryMOSFET--
RoHSY--
TechnologySi--
Mounting StyleThrough Hole--
Package / CaseITO-220AB-3--
Number of Channels1 Channel--
Transistor PolarityN-Channel--
Vds Drain Source Breakdown Voltage800 V--
Id Continuous Drain Current7 A--
Rds On Drain Source Resistance1.4 Ohms--
Vgs th Gate Source Threshold Voltage2 V--
Vgs Gate Source Voltage30 V--
Qg Gate Charge35.4 nC--
Minimum Operating Temperature- 55 C--
Maximum Operating Temperature+ 150 C--
Pd Power Dissipation41 W--
ConfigurationSingle--
Channel ModeEnhancement--
PackagingTube--
Transistor Type1 N-Channel--
BrandDiodes Incorporated--
Fall Time42.6 ns--
Product TypeMOSFET--
Rise Time35.8 ns--
Factory Pack Quantity50--
SubcategoryMOSFETs--
Typical Turn Off Delay Time104 ns--
Typical Turn On Delay Time20.5 ns--
Unit Weight0.065257 oz--
  • बाट सुरु गर्नुहोस्
  • DMN8 21
  • DMN 1106
निर्माता भाग # विवरण RFQ
Diodes Incorporated
Diodes Incorporated
DMN80H2D0SCTI MOSFET MOSFETBVDSS: 651V-800V
DMN80H2D0SCTI MOSFET BVDSS: 651V800V ITO-220AB TUBE 50PCS
DMN8100-C0 नयाँ र मौलिक
DMN8102 नयाँ र मौलिक
DMN8102-BO नयाँ र मौलिक
DMN8600 नयाँ र मौलिक
DMN8600 RMA नयाँ र मौलिक
DMN8600-D0 नयाँ र मौलिक
DMN8600D0 नयाँ र मौलिक
DMN8602 नयाँ र मौलिक
DMN8602 B0 नयाँ र मौलिक
DMN8602BO नयाँ र मौलिक
DMN8603 नयाँ र मौलिक
DMN8603B1 नयाँ र मौलिक
DMN8604-CSZ नयाँ र मौलिक
DMN8633 नयाँ र मौलिक
DMN8652 नयाँ र मौलिक
DMN8652 B0 नयाँ र मौलिक
DMN8802-BC नयाँ र मौलिक
DMN8802BO नयाँ र मौलिक
DMN8822UTS-13 नयाँ र मौलिक
DMN886 नयाँ र मौलिक
Top