| निर्माता | भाग # | विवरण | RFQ |
|---|---|---|---|
|
ON Semiconductor |
BLD | नयाँ र मौलिक | |
| BLD-06 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD AD | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD-16 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD-18 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD-20 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD-50 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD-D32A-P-10 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD1017G | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD1017G1BD1017050F | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD101D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD101D TO-92 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD102D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD122D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD122DL | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD123D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD123D TO-251 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD123DAL | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD123DL | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD128A | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD128D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD128D/ | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD128DFP | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD132D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD133DL | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD135DH | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD137D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD137DL | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD138-1 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD139D | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD195 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G21-50 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G21L-50112 | - Bulk (Alt: BLD6G21L-50112) | ||
| BLD6G21LS-50112 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22-150BN | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22-150BN/2 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22LS-50 | 2 CHANNEL, S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET | ||
| BLD6G22LS-50,112 | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130B | ||
| BLD8608A8A-75B | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G21LS-50,112 | RF Bipolar Transistors MOSFET N-CH 65V 10.2A Trans MOSFET | ||
|
NXP Semiconductors |
BLD6G21L-50 112 | नयाँ र मौलिक | |
| BLD6G21LS-50 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22L-150 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22L-150BN | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22L-150BN/2 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22L-15BN | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22L-50 | नयाँ र मौलिक | ||
| BLD6G22L-50,112 | RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A | ||
| BLD6G22L-50112 | - Bulk (Alt: BLD6G22L-50112) | ||
| BLD6G22LS-50112 | Now Ampleon, BLD6G22LS-50, W-CDMA 2110MHz to 2170MHz fully integrated Doherty transistor, SOT1130 (ACC-4L) |
