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SI6991DQ-T1-GE3

SI6991DQ-T1-GE3
Mfr. #:
SI6991DQ-T1-GE3
निर्माता:
Vishay / Siliconix
विवरण:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SI6991DQ-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
Vishay / Siliconix
उत्पादन कोटि
ट्रान्जिस्टर - FETs, MOSFETs - एकल
शृङ्खला
SI6991DQ
प्याकेजिङ
रील
अंश-उपनामहरू
SI6991DQ-GE3
एकाइ - वजन
0.005573 oz
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
प्याकेज-केस
TSSOP-8
प्रविधि
सि
च्यानलहरूको संख्या
2 Channel
कन्फिगरेसन
दोहोरो
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
2 P-Channel
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
830 mW
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
20 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
3.6 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
- 30 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
40 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
P- च्यानल
Tags
SI699, SI69, SI6
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SI6991DQ-T1-GE3
DISTI # 781-SI6991DQ-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 3000:$0.8240
  • 6000:$0.7940
  • 9000:$0.7630
छवि भाग # विवरण
SI6991DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6991DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6991DQ-T1-E3

 MOSFET 30V 4.2A 0.83W
SI6991DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6991DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6991DQ-T1-GE3

 MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V
SI6991DQ-T1-GE3

Mfr.#: SI6991DQ-T1-GE3

OMO.#: OMO-SI6991DQ-T1-GE3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 4.2A 1.14W 40mohm @ 10V
SI6991DQ-T1-E3

Mfr.#: SI6991DQ-T1-E3

OMO.#: OMO-SI6991DQ-T1-E3-317

 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 4.2A 0.83W
उपलब्धता
स्टक:
Available
अर्डर मा:
1500
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
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विस्तार मूल्य
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US$ १.१४
10
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100
US$ १.०३
US$ १०३.०१
500
US$ ०.९७
US$ ४८६.४०
1000
US$ ०.९२
US$ ९१५.६०
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