QPD2730

QPD2730
Mfr. #:
QPD2730
निर्माता:
Qorvo
विवरण:
RF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
QPD2730 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
QPD2730 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
कोर्भो
उत्पादन कोटि:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
RoHS:
Y
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
HEMT
प्रविधि:
GaN SiC
पाउनु:
16 dB
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
48 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
210 mA
आउटपुट पावर:
36 W
अधिकतम ड्रेन गेट भोल्टेज:
55 V
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 85 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
18.6 W
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेज / केस:
NI780-4
प्याकेजिङ:
वाफल
कन्फिगरेसन:
दोहोरो
सञ्चालन आवृत्ति:
2.575 GHz to 2.635 GHz
सञ्चालन तापमान दायरा:
- 40 C to + 85 C
शृङ्खला:
QPD
ब्रान्ड:
कोर्भो
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
25
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
- 2.7 V, - 4.75 V
भाग # उपनाम:
1131813
Tags
QPD273, QPD27, QPD2, QPD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***W
RF Transistor, Power, 2.575 - 2.635 GHz, 53.5 dBm, 15.9 dB, 48 V, GaN, N-780 Ceramic Pkg
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
QPD2730
DISTI # 772-QPD2730
QorvoRF JFET Transistors 2.575-2.635GHz 48V 110/220 Watt GaN
RoHS: Compliant
26
  • 1:$165.5500
  • 25:$144.4800
छवि भाग # विवरण
QPD1008L

Mfr.#: QPD1008L

OMO.#: OMO-QPD1008L

RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
QPD2796

Mfr.#: QPD2796

OMO.#: OMO-QPD2796

RF JFET Transistors 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V
QPD1019

Mfr.#: QPD1019

OMO.#: OMO-QPD1019

RF JFET Transistors 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET
QPD2195SR

Mfr.#: QPD2195SR

OMO.#: OMO-QPD2195SR

RF JFET Transistors 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor
QPD1025L

Mfr.#: QPD1025L

OMO.#: OMO-QPD1025L-1152

RF JFET Transistors 1-1.1GHz 1500 Watt Gain 22.9dB 65V
QPDD740001401

Mfr.#: QPDD740001401

OMO.#: OMO-QPDD740001401-1190

नयाँ र मौलिक
QPDS-9922-200

Mfr.#: QPDS-9922-200

OMO.#: OMO-QPDS-9922-200-1190

नयाँ र मौलिक
QPDS-T905

Mfr.#: QPDS-T905

OMO.#: OMO-QPDS-T905-1190

नयाँ र मौलिक
QPDS-T907

Mfr.#: QPDS-T907

OMO.#: OMO-QPDS-T907-1190

नयाँ र मौलिक
QPD1009-EVB1

Mfr.#: QPD1009-EVB1

OMO.#: OMO-QPD1009-EVB1-1152

RF Development Tools DC-4GHz 15W 28-50V Eval Board
उपलब्धता
स्टक:
26
अर्डर मा:
2009
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सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ १६५.५५
US$ १६५.५५
25
US$ १४४.४८
US$ ३ ६१२.००
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