CGH55015F2

CGH55015F2
Mfr. #:
CGH55015F2
निर्माता:
N/A
विवरण:
RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
CGH55015F2 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
CGH55015F2 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
क्री, इंक।
उत्पादन कोटि:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
RoHS:
Y
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
HEMT
प्रविधि:
GaN
पाउनु:
12 dB
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
120 V
Vgs - गेट-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
- 10 V to 2 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
1.5 A
आउटपुट पावर:
10 W
अधिकतम ड्रेन गेट भोल्टेज:
-
न्यूनतम परिचालन तापमान:
- 40 C
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 150 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
-
माउन्टिङ शैली:
स्क्रू माउन्ट
प्याकेज / केस:
440166
प्याकेजिङ:
ट्रे
आवेदन:
-
कन्फिगरेसन:
एकल
उचाइ:
3.43 mm
लम्बाइ:
14.09 mm
सञ्चालन आवृत्ति:
4.5 GHz to 6 GHz
सञ्चालन तापमान दायरा:
-
उत्पादन:
GaN HEMT
चौडाइ:
4.19 mm
ब्रान्ड:
वुल्फस्पीड / क्री
फर्वार्ड ट्रान्सकन्डक्टन्स - न्यूनतम:
-
गेट-स्रोत कटअफ भोल्टेज:
-
कक्षा:
-
पतन समय:
-
NF - शोर चित्र:
-
P1dB - कम्प्रेसन बिन्दु:
-
उत्पादन प्रकार:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
Rds अन - ड्रेन-स्रोत प्रतिरोध:
-
उठ्ने समय:
-
कारखाना प्याक मात्रा:
60
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
सामान्य टर्न-अफ ढिलाइ समय:
-
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
- 3 V
एकाइ वजन:
0.017637 oz
Tags
CGH55015F2, CGH55015, CGH5501, CGH55, CGH5, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440166
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
CGH55015F2
DISTI # CGH55015F2-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440166
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray
133In Stock
  • 1:$68.0200
CGH55015F2
DISTI # 941-CGH55015F2
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
RoHS: Compliant
93
  • 1:$68.0200
  • 10:$64.3500
  • 25:$62.5200
  • 50:$61.6000
  • 100:$61.1400
CGH55015F2
DISTI # CGH55015F2
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
60
  • 1:$68.0200
छवि भाग # विवरण
HMC406MS8GE

Mfr.#: HMC406MS8GE

OMO.#: OMO-HMC406MS8GE

RF Amplifier InGaP HBT pow amp SMT, 5 - 6 GHz
TLV170IDBVR

Mfr.#: TLV170IDBVR

OMO.#: OMO-TLV170IDBVR

Operational Amplifiers - Op Amps TLV170 36V CMOS OP AMP
RSH070P05TB1

Mfr.#: RSH070P05TB1

OMO.#: OMO-RSH070P05TB1

MOSFET Pch -45V -7A MOSFET
TPS2001DDBVR

Mfr.#: TPS2001DDBVR

OMO.#: OMO-TPS2001DDBVR

Power Switch ICs - Power Distribution SINGLE CHANNEL USB POWER SWITCH
LTC1261CS8-4#PBF

Mfr.#: LTC1261CS8-4#PBF

OMO.#: OMO-LTC1261CS8-4-PBF

Switching Voltage Regulators -4V Fix Sw Cap Reg Volt Inverter
600S0R5BT250XT

Mfr.#: 600S0R5BT250XT

OMO.#: OMO-600S0R5BT250XT

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250volts 0.5pF
600S0R3BT250XT

Mfr.#: 600S0R3BT250XT

OMO.#: OMO-600S0R3BT250XT

Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 250volts 0.3pF
MAGX-011086

Mfr.#: MAGX-011086

OMO.#: OMO-MAGX-011086-MACOM

IC RF AMP 0HZ-6GHZ 24QFN
RSH070P05TB1

Mfr.#: RSH070P05TB1

OMO.#: OMO-RSH070P05TB1-ROHM-SEMI

Darlington Transistors MOSFET Pch -45V -7A MOSFET
HMC406MS8GE

Mfr.#: HMC406MS8GE

OMO.#: OMO-HMC406MS8GE-ANALOG-DEVICES

RF Amplifier InGaP HBT pow amp SMT 5 - 6 GHz
उपलब्धता
स्टक:
62
अर्डर मा:
2045
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US$ ६८.७२
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