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SI4834CDY-T1-E3

SI4834CDY-T1-E3
Mfr. #:
SI4834CDY-T1-E3
निर्माता:
Vishay
विवरण:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SI4834CDY-T1-E3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
SI4834CDY-T1-E3 DatasheetSI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P4-P6)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P7-P9)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P10-P12)SI4834CDY-T1-E3 Datasheet (P13-P15)
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
Vishay Siliconix
उत्पादन कोटि
FETs - arrays
शृङ्खला
TrenchFETR
प्याकेजिङ
टेप र रिल (TR)
अंश-उपनामहरू
SI4834CDY-E3
एकाइ - वजन
0.006596 oz
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
प्याकेज-केस
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
प्रविधि
सि
सञ्चालन - तापक्रम
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिङ-प्रकार
सतह माउन्ट
च्यानलहरूको संख्या
2 Channel
आपूर्तिकर्ता-उपकरण-प्याकेज
8-SO
कन्फिगरेसन
Schottky डायोड संग दोहोरो
FET-प्रकार
2 N-Channel (Dual)
पावर-अधिकतम
2.9W
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
2 N-Channel
ड्रेन-टू-स्रोत-भोल्टेज-Vdss
30V
इनपुट-Capacitance-Ciss-Vds
950pF @ 15V
FET - सुविधा
मानक
वर्तमान-निरन्तर-नाली-Id-25°C
8A
Rds-on-max-Id-Vgs
20 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-max-Id
3V @ 1mA
गेट-चार्ज-Qg-Vgs
25nC @ 10V
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
2 W
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
पतन-समय
10 ns
उदय-समय
12 ns
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
20 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
7.5 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
30 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
20 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
N- च्यानल
सामान्य-टर्न-अफ-ढिलाइ-समय
19 ns 18 ns
सामान्य-टर्न-अन-डिले-समय
17 ns
च्यानल-मोड
वृद्धि
Tags
SI4834C, SI4834, SI483, SI48, SI4
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:8000mA; Drain Source Voltage, Vds:30V; On Resistance, Rds(on):0.025ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
***nell
MOSFET, N, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:7.5A; On State Resistance:0.022ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:3V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Max Junction Temperature, Tj:150°C; Power Dissipation Pd:1.1W; Rise Time:10ns; Voltage, Vgs th Max:3V; Voltage, Vgs th Min:0.8V
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # SI4834CDY-T1-E3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
RoHS: Compliant
Min Qty: 2500
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 2500:$0.5390
SI4834CDY-T1-E3
DISTI # 781-SI4834CDY-E3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
  • 1:$1.2300
  • 10:$1.0100
  • 100:$0.7740
  • 500:$0.6660
  • 1000:$0.5840
SI4834CDY-T1-E3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
RoHS: Compliant		Americas -
    छवि भाग # विवरण
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3

    		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI4816BDY-T1-GE3
    SI4834CDY-T1-GE3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-GE3-VISHAY

    		 IGBT Transistors MOSFET 30V 8A / 8A DUAL NCH MOSFET w/Shottky
    SI4834CDY-T1-E3

    Mfr.#: SI4834CDY-T1-E3

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-T1-E3-VISHAY

    		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 8.0A 2.9W 20mohm @ 10V
    SI4834CDY

    Mfr.#: SI4834CDY

    OMO.#: OMO-SI4834CDY-1190

    		 नयाँ र मौलिक
    उपलब्धता
    स्टक:
    Available
    अर्डर मा:
    3500
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    सन्दर्भ मूल्य (USD)
    मात्रा
    एकाइ मूल्य
    विस्तार मूल्य
    1
    US$ ०.८१
    US$ ०.८१
    10
    US$ ०.७७
    US$ ७.६८
    100
    US$ ०.७३
    US$ ७२.७७
    500
    US$ ०.६९
    US$ ३४३.६०
    1000
    US$ ०.६५
    US$ ६४६.८०
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