GTVA104001FA-V1-R0

GTVA104001FA-V1-R0
Mfr. #:
GTVA104001FA-V1-R0
निर्माता:
N/A
विवरण:
RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
GTVA104001FA-V1-R0 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
GTVA104001FA-V1-R0 थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
क्री, इंक।
उत्पादन कोटि:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
RoHS:
Y
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
HEMT
प्रविधि:
GaN SiC
पाउनु:
19 dB
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
150 V
Vgs - गेट-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
- 10 V to 2 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
4.6 A
आउटपुट पावर:
400 W
अधिकतम ड्रेन गेट भोल्टेज:
-
माउन्टिङ शैली:
Flange माउन्ट
प्याकेज / केस:
H-37265J-2
प्याकेजिङ:
रील
सञ्चालन आवृत्ति:
960 MHz to 1.215 GHz
ब्रान्ड:
वुल्फस्पीड / क्री
विकास किट:
LTN/GTVA104001FA-V1
उत्पादन प्रकार:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
50
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
Vgs th - गेट-स्रोत थ्रेसहोल्ड भोल्टेज:
- 3 V
Tags
GTVA10, GTVA1, GTVA, GTV
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT
Wolfspeed / Cree GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT are 50V High Electron Mobility Transistors (HEMT) based on Gallium-Nitride on Silicon Carbide technology. GaN on SiC devices offer high power density coupled with a high breakdown voltage, enabling highly efficient power amplifiers. The GTVA High Power RF GaN on SiC HEMT feature input matching, high efficiency, and thermally-enhanced packages. These Pulsed/CW (Continuous Wave) devices have a pulse width of 128µs and a duty cycle of 10%.
छवि भाग # विवरण
GTVA104001FA-V1-R0

Mfr.#: GTVA104001FA-V1-R0

OMO.#: OMO-GTVA104001FA-V1-R0

RF JFET Transistors GaN HEMT 50V 0.9-1.2GHz 400W
GTVA104001FA P1

Mfr.#: GTVA104001FA P1

OMO.#: OMO-GTVA104001FA-P1-1190

नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
50
अर्डर मा:
2033
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