T1G2028536-FS

T1G2028536-FS
Mfr. #:
T1G2028536-FS
निर्माता:
Qorvo
विवरण:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
T1G2028536-FS डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
थप जानकारी:
T1G2028536-FS थप जानकारी
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता:
कोर्भो
उत्पादन कोटि:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
RoHS:
Y
ट्रान्जिस्टर प्रकार:
HEMT
प्रविधि:
GaN SiC
पाउनु:
18 dB
ट्रान्जिस्टर ध्रुवता:
N- च्यानल
Vds - ड्रेन-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
36 V
Vgs - गेट-स्रोत ब्रेकडाउन भोल्टेज:
145 V
आईडी - निरन्तर ड्रेन वर्तमान:
24 A
आउटपुट पावर:
260 W
अधिकतम ड्रेन गेट भोल्टेज:
48 V
अधिकतम परिचालन तापमान:
+ 250 C
Pd - शक्ति अपव्यय:
288 W
माउन्टिङ शैली:
SMD/SMT
प्याकेजिङ:
ट्रे
कन्फिगरेसन:
एकल
सञ्चालन आवृत्ति:
2 GHz
उत्पादन:
आरएफ पावर ट्रान्जिस्टर
शृङ्खला:
T1G
प्रकार:
GaN SiC HEMT
ब्रान्ड:
कोर्भो
नमी संवेदनशील:
हो
उत्पादन प्रकार:
आरएफ JFET ट्रान्जिस्टर
कारखाना प्याक मात्रा:
25
उपश्रेणी:
ट्रान्जिस्टरहरू
भाग # उपनाम:
1110346
Tags
T1G2028536, T1G2, T1G
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: info@omo-ic.com

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
GaN Solutions
Qorvo Qorvo is your smart RF partner for building solutions using gallium nitride (GaN) technology. Qorvo's is the only supplier to achieve MRL 9 using USAF MRL tool and is a “trusted” supplier with industry-leading GaN reliability. Qorvo is a world-class certified manufacturer - ISO9001, ISO14001, ISO/TS16949.Learn More
QPD GaN RF Transistors
Qorvo QPD GaN RF Transistors can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for macrocell high-efficiency systems. These GaN transistors are discrete GaN on SiC HEMTs with a single-stage matched power amplifier transistor. Typical applications include W-CDMA/LTE, Macrocell base station, active antenna and general purpose applications.
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
T1G2028536-FS
DISTI # 772-T1G2028536-FS
QorvoRF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
RoHS: Compliant
25
  • 1:$508.0000
छवि भाग # विवरण
T1G2028536-FS

Mfr.#: T1G2028536-FS

OMO.#: OMO-T1G2028536-FS

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
T1G2028536-FL

Mfr.#: T1G2028536-FL

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
T1G2028536-FL

Mfr.#: T1G2028536-FL

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL-318

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
T1G2028536-FS

Mfr.#: T1G2028536-FS

OMO.#: OMO-T1G2028536-FS-318

RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

Mfr.#: T1G2028536-FL/FS 1.2-1.4GHz EVB5

OMO.#: OMO-T1G2028536-FL-FS-1-2-1-4GHZ-EVB5-1152

RF Development Tools DC-2GHz P3dB 260W Eval Board
T1G2028535-FL

Mfr.#: T1G2028535-FL

OMO.#: OMO-T1G2028535-FL-1190

नयाँ र मौलिक
उपलब्धता
स्टक:
25
अर्डर मा:
2008
मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
T1G2028536-FS को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
सन्दर्भ मूल्य (USD)
मात्रा
एकाइ मूल्य
विस्तार मूल्य
1
US$ ५०८.००
US$ ५०८.००
25
US$ ४६८.१७
US$ ११ ७०४.२५
बाट सुरु गर्नुहोस्
Top