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SI7218DN-T1-GE3

SI7218DN-T1-GE3
Mfr. #:
SI7218DN-T1-GE3
निर्माता:
Vishay
विवरण:
RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SI7218DN-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
Vishay Siliconix
उत्पादन कोटि
FETs - arrays
शृङ्खला
TrenchFETR
प्याकेजिङ
टेप र रिल (TR)
अंश-उपनामहरू
SI7218DN-GE3
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
प्याकेज-केस
PowerPAKR 1212-8 Dual
प्रविधि
सि
सञ्चालन - तापक्रम
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिङ-प्रकार
सतह माउन्ट
च्यानलहरूको संख्या
2 Channel
आपूर्तिकर्ता-उपकरण-प्याकेज
PowerPAKR 1212-8 Dual
कन्फिगरेसन
दोहोरो
FET-प्रकार
2 N-Channel (Dual)
पावर-अधिकतम
23W
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
2 N-Channel
ड्रेन-टू-स्रोत-भोल्टेज-Vdss
30V
इनपुट-Capacitance-Ciss-Vds
700pF @ 15V
FET - सुविधा
मानक
वर्तमान-निरन्तर-नाली-Id-25°C
24A
Rds-on-max-Id-Vgs
25 mOhm @ 8A, 10V
Vgs-th-max-Id
3V @ 250μA
गेट-चार्ज-Qg-Vgs
17nC @ 10V
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
2.6 W
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
पतन-समय
10 ns
उदय-समय
12 ns
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
20 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
8 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
30 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
25 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
N- च्यानल
सामान्य-टर्न-अफ-ढिलाइ-समय
10 ns
सामान्य-टर्न-अन-डिले-समय
15 ns
च्यानल-मोड
वृद्धि
Tags
SI7218, SI721, Si72, SI7
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
***et Europe
Trans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
***i-Key
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
***
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S)
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SI7218DN-T1-GE3
DISTI # SI7218DN-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
  • 3000:$0.7392
SI7218DN-T1-GE3
DISTI # 781-SI7218DN-GE3		Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
RoHS: Compliant		0
    SI7218DN-T1-GE3Vishay IntertechnologiesMOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		Americas -
      छवि भाग # विवरण
      SI7218DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-GE3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 781-SI7228DN-GE3
      SI7218DN-T1-GE3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 30V 24A 23W 25mohm @ 10V
      SI7218DN

      Mfr.#: SI7218DN

      OMO.#: OMO-SI7218DN-1190

      		 नयाँ र मौलिक
      SI7218DN-T1-E3

      Mfr.#: SI7218DN-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI7218DN-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
      उपलब्धता
      स्टक:
      Available
      अर्डर मा:
      3000
      मात्रा प्रविष्ट गर्नुहोस्:
      SI7218DN-T1-GE3 को हालको मूल्य सन्दर्भको लागि मात्र हो, यदि तपाइँ उत्तम मूल्य प्राप्त गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हाम्रो बिक्री टोली sales@omo-ic.com मा सोधपुछ वा प्रत्यक्ष इमेल पेश गर्नुहोस्।
      सन्दर्भ मूल्य (USD)
      मात्रा
      एकाइ मूल्य
      विस्तार मूल्य
      1
      US$ १.११
      US$ १.११
      10
      US$ १.०५
      US$ १०.५३
      100
      US$ १.००
      US$ ९९.७९
      500
      US$ ०.९४
      US$ ४७१.२५
      1000
      US$ ०.८९
      US$ ८८७.००
      2021 देखि कम आपूर्तिमा अर्धचालकको कारण, तलको मूल्य 2021 अघि सामान्य मूल्य हो। कृपया पुष्टि गर्न सोधपुछ पठाउनुहोस्।
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