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SI5944DU-T1-GE3

SI5944DU-T1-GE3
Mfr. #:
SI5944DU-T1-GE3
निर्माता:
Vishay
विवरण:
RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
जीवन चक्र:
यस निर्माताबाट नयाँ।
डाटा पाना:
SI5944DU-T1-GE3 डाटा पाना
डेलिभरी:
DHL FedEx Ups TNT EMS
भुक्तानी:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
उत्पादन विशेषता
विशेषता मान
निर्माता
Vishay Siliconix
उत्पादन कोटि
FETs - arrays
शृङ्खला
TrenchFETR
प्याकेजिङ
टेप र रिल (TR)
अंश-उपनामहरू
SI5944DU-GE3
माउन्टिङ-शैली
SMD/SMT
प्याकेज-केस
PowerPAKR ChipFET डुअल
प्रविधि
सि
सञ्चालन - तापक्रम
-55°C ~ 150°C (TJ)
माउन्टिङ-प्रकार
सतह माउन्ट
च्यानलहरूको संख्या
2 Channel
आपूर्तिकर्ता-उपकरण-प्याकेज
PowerPAKR ChipFet डुअल
कन्फिगरेसन
दोहोरो
FET-प्रकार
2 N-Channel (Dual)
पावर-अधिकतम
10W
ट्रान्जिस्टर-प्रकार
2 N-Channel
ड्रेन-टू-स्रोत-भोल्टेज-Vdss
40V
इनपुट-Capacitance-Ciss-Vds
210pF @ 20V
FET - सुविधा
तर्क स्तर गेट
वर्तमान-निरन्तर-नाली-Id-25°C
6A
Rds-on-max-Id-Vgs
112 mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs-th-max-Id
3V @ 250μA
गेट-चार्ज-Qg-Vgs
6.6nC @ 10V
Pd-शक्ति-डिसिपेशन
2 W
अधिकतम-सञ्चालन-तापमान
+ 150 C
न्यूनतम-सञ्चालन-तापमान
- 55 C
पतन-समय
6 ns
उदय-समय
30 ns
Vgs-गेट-स्रोत-भोल्टेज
20 V
आईडी-निरन्तर-नाली-वर्तमान
3.28 A
Vds-ड्रेन-स्रोत-ब्रेकडाउन-भोल्टेज
40 V
Vgs-th-गेट-स्रोत-थ्रेसहोल्ड-भोल्टेज
3 V
Rds-अन-ड्रेन-स्रोत-प्रतिरोध
112 mOhms
ट्रान्जिस्टर-ध्रुवता
N- च्यानल
सामान्य-टर्न-अफ-ढिलाइ-समय
10 ns
सामान्य-टर्न-अन-डिले-समय
4 ns
Qg-गेट-चार्ज
6.6 nC
फर्वार्ड-ट्रान्सकन्डक्टन्स-न्यूनतम
6.88 S
च्यानल-मोड
वृद्धि
Tags
SI594, SI59, SI5
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
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Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et
Trans MOSFET N-CH 40V 3.28A 8-Pin PowerPAK ChipFET T/R
***i-Key
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
***ronik
DUAL 40V 6A 100mOhm ChipFET
***
DUAL N-CHANNEL 40-V (D-S)
***ark
Transistor; Continuous Drain Current, Id:6000mA; Drain Source Voltage, Vds:40V; On Resistance, Rds(on):0.171ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:2W ;RoHS Compliant: Yes
भाग # Mfg। विवरण स्टक मूल्य
SI5944DU-T1-GE3
DISTI # SI5944DU-T1-GE3-ND		Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)		Limited Supply - Call
    SI5944DU-T1-GE3
    DISTI # 781-SI5944DU-GE3    		Vishay IntertechnologiesMOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
    RoHS: Compliant    		0
      SI5944DU-T1-GE3Vishay SiliconixPOWER, FET2920
      • 1940:$0.3630
      • 434:$0.4125
      • 1:$1.3200
      छवि भाग # विवरण
      SI5944DU-T1-E3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-E3

      		 MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SI5936DU-T1-GE3
      SI5944DU-T1-GE3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-GE3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-GE3-VISHAY

      		 RF Bipolar Transistors MOSFET 40V 6.0A 10W 112mohm @ 10V
      SI5944DU-T1-E3

      Mfr.#: SI5944DU-T1-E3

      OMO.#: OMO-SI5944DU-T1-E3-VISHAY

      		 MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
      उपलब्धता
      स्टक:
      Available
      अर्डर मा:
      2000
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      सन्दर्भ मूल्य (USD)
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      एकाइ मूल्य
      विस्तार मूल्य
      1
      US$ ०.५४
      US$ ०.५४
      10
      US$ ०.५२
      US$ ५.१७
      100
      US$ ०.४९
      US$ ४९.०१
      500
      US$ ०.४६
      US$ २३१.४०
      1000
      US$ ०.४४
      US$ ४३५.६०
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